在中兴通讯宣布5G基站7nm芯片实现商用的同一天，中芯国际第二代FinFET工艺也凑巧曝出新进展。

10月11日，珠海市委机关报《珠海特区报》发布报道，IP和定制芯片企业芯动科技已完成全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过。

受此消息刺激，阴跌已久的中芯国际，今天A股和港股均大幅上涨，带动A股半导体概念纷纷飘红。

截至发稿，中芯国际A股和港股涨幅均一度接近14%，半导体设备供应商中微公司、北方华创、安集科技等涨幅也超过5%。

中芯国际港股（左）和A股股价信息

关于N+1工艺，中芯国际联合CEO梁孟松去年曾透露，该工艺在功率和稳定性方面7nm工艺非常相似，且不需要EUV光刻机，但在性能方面提升还不够，所以N+1工艺是面向低功耗应用领域的。

所谓成功流片，中科院半导体所相关人士向观察者网介绍，就是在实验室得到性能达到指标的器件的意思。而要实现真正量产，器件的可靠性、退化机制等一些特性还需大量的数据支持和反复检验。

《珠海特区报》报道截图

“国产版7nm芯片制造取得突破”

在一篇题为《“国产芯”突围刻不容缓》的报道中，《珠海特区报》写道：“芯动科技首个基于中芯国际先进工艺的芯片流片和测试成功，不仅意味着具有自主知识产权的‘国产芯’再次打破国外垄断，同时也说明‘国产版’的7nm芯片制造技术已经得到突破。”

事实上，流片是芯片量产前的一个必要步骤。为了测试集成电路设计是否成功，需要对芯片进行试生产，以检验电路是否具备所需的性能和功能。如果流片成功，就可以大规模地量产芯片；反之，就需要找出其中的原因，并进行相应的优化设计。

中科院半导体所相关人士告诉观察者网：“在技术交付之前，会经历一个用户试用的阶段，分不同的情况，也许流片之后几个月或者几年才能真正实现量产。”

中芯国际官网截图

就在1个月前（9月18日），中芯国际在“上证e互动”回答投资者提问时披露：“FinFET N+1已进入客户导入阶段，可望于2020年底小批量试产。”